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砷化镓单晶片比之传统硅材料的优势

发布:deyiwafer     浏览:1394次

  砷化镓化学式GaAs,属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,由砷和镓两种元素化合而成,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬,是当代国际公认的继"硅"之后最成熟的化合物半导体材料,砷化镓单晶片是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。

  砷化镓材料与传统的硅半导体材料相比,它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性,电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此,广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件,通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。除在I C产品应用以外,砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应,制成半导体发光器件,还可以制做砷化镓太阳能电池。

  主要应用于高频通讯、无线网络及光电子领域,如LED发光器、太阳能电池板等。特点:可提供本征、轻掺杂、重掺杂(掺Si、Cr、Fe或Zn)的单晶GaAs片。