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砷化镓晶片与硅片相比缺点在哪里?

发布:deyiwafer     浏览:1115次

在设备性能和制造能力方面,砷化镓晶片与硅相比还有许多缺点:


1)砷化镓空穴迁移率很低。计算机芯片中的关键技术是CMOS技术,在这种技术中,一个n型和p型晶体管共同构成逻辑门。通过N和P设备的电流必须平衡,以便有一个功能良好的设备,否则你会遇到一些困难的时序问题。为了平衡电流,你需要平衡电子和空穴的迁移率,因为你需要在栅极宽度上使用相同的比例,以平衡电流。在硅中,这个比例大约是2:1,也就是说,P设备必须是N设备的两倍宽。这是可行的。在砷化镓基板上,这个比例更像是9:1。那太可怕了。


2)砷化镓衬底没有一个单纯的绝缘体氧化物。硅,你可以把硅放在一个有氧气流动的熔炉里,在它上面生长一层中空玻璃,具有极好的电学和光学特性,当你加热和冷却硅时,它会非常棒。砷化镓晶片,没那么多。你必须进行化学气相沉积,以获得一个氧化物或氮化物绝缘层对它,即使那样,它将是相对较差的质量,导致制造缺陷。