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砷化镓(GaAs)单晶产品

砷化镓(GaAs)单晶产品

砷化镓(gallium arsenide),化学式 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓做为第二代半导体材料,具有更高的电子迁移率,也就是说,可以更快地穿过晶体管的电子,从晶体管中获得更高的增益和更高的带宽,并获得较低的掺杂水平的更好的n型导电性。直接带隙,允许直接产生光信号和检测光,这将有效地允许全光总线,而不是纵横交错的金属线网络。

目前德义科技主要运用VGF法生长砷化镓晶体,其中掺硅导电性砷化镓主要用于LED行业,晶体的成晶率达到70%以上,4寸晶锭最长可以长到300mm。